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제조업체 부품번호 DMN53D0LDW-7

제조업체 DiodesZetex

규격 Diodes Inc DMN53D0LDW-7 N-channel MOSFET, 360 mA, 50 V, 6-Pin SOT-363

주문 가능 수량 3100

제품 세부 사항

N-Channel MOSFET, 40V to 90V, Diodes Inc

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Diodes Inc DMN53D0LDW-7 N-channel MOSFET, 360 mA, 50 V, 6-Pin SOT-363

	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current	360 mA
	Maximum Drain Source Voltage	50 V
	Maximum Drain Source Resistance	4.5 Ω
	Maximum Gate Threshold Voltage	1.5V
	Minimum Gate Threshold Voltage	0.8V
	Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
	Package Type	SOT-363
	Mounting Type	Surface Mount
	Pin Count	6
	Transistor Configuration	Single
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation	310 mW
	Minimum Operating Temperature	-55 °C
	Typical Input Capacitance @ Vds	46 pF @ 25 V
	Typical Gate Charge @ Vgs	0.6 nC @ 4.5 V
	Width	1.35mm
	Number of Elements per Chip	1
	Forward Diode Voltage	1.4V
	Typical Turn-Off Delay Time	19 ns
	Typical Turn-On Delay Time	2.7 ns
	Transistor Material	Si
	Maximum Operating Temperature	+150 °C
	Height	1mm
	Dimensions	2.2 x 1.35 x 1mm
	Length	2.2mm

Diodes의 본사 및 미주 영업소는 텍사스 주 플라노에 있습니다. 디자인, 마케팅 및 엔지니어링 센터는 Plano, 캘리포니아 산호세, 타이페이, 대만, 영국 맨체스터, 독일 Neuhaus에 위치해 있습니다. 디오데스의 1차 웨이퍼 팹은 맨체스터에 위치하며 중국 상하이, 중국 청두, 네우하우스, 타이페이 등에 조립 및 테스트 시설을 갖추고 있다. 추가 엔지니어링, 영업, 창고 및 물류 사무소는 텍사스 포트워스, 타이페이, 홍콩, 맨체스터, 상하이, 중국, 성남시, 대한민국, 수원, 독일, 일본, 뮌헨에 위치하고 있습니다. Diodes Incorporated HQ 4949 Hedgcoxe Road, Suite #200 Plano, TX 75024 USA Tel: 972-987-3900 Fax: 972-731-3510