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[PRESSURE INDICATOR] IGBT Transistor Modules

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제조업체 부품번호 DIM100PHM33-F

제조업체 Dynex

규격 Dynex DIM100PHM33-F, Type P Series IGBT Module, 100 A max, 3300 V, Screw Mount

주문 가능 수량 1

제품 세부 사항

IGBT Discretes & Modules

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Dynex DIM100PHM33-F, Type P Series IGBT Module, 100 A max, 3300 V, Screw Mount

	Configuration	Series
	Maximum Continuous Collector Current	100 A
	Maximum Collector Emitter Voltage	3300 V
	Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
	Channel Type	N
	Mounting Type	Screw Mount
	Package Type	Type P
	Pin Count	8
	Maximum Power Dissipation	1.3 kW
	Dimensions	140 x 73 x 38mm
	Height	38mm
	Length	140mm
	Maximum Operating Temperature	+150 °C
	Width	73mm

Dynex는 EV 애플리케이션을 위한 다양한 기술을 개발하였다. 여기에는 철조망 없는 설계와 능동 게이트 드라이버 기술이 적용된 양면 냉각 IGBT 모듈이 포함됩니다. 모든 기술은 차량 자격 요건을 충족하고 기능 안전을 위한 ISO26262의 요구사항을 수용하도록 설계 및 테스트되었습니다. 양면 냉각 기술 오늘날의 산업 표준에서는 IGBT 및 병렬 다이오드 실리콘 장치가 세라믹 기질에 납땜되어 냉각을 위해 금속 베이스 플레이트에 납땜되는 경우 단측 냉각만 사용됩니다. 실리콘 칩 상단으로부터의 전기 연결은 기질에 연결되는 와이어 본드로 이루어집니다. 확실히 열을 실리콘 후면에서만 제거할 수 있습니다. 이와 대조적으로, 와이어 본드 공정은 제거되고 실리콘 칩 상단에 납땜된 또 다른 기질로 대체됩니다. 이는 다시 두 번째 냉각 플레이트에 부착됩니다. 냉각 시스템과 접촉하는 실리콘의 표면적이 거의 두 배가 된다는 점에서 냉각 효율성의 차이는 매우 분명하다. 전원 모듈 구축은 고성능 재료와 프로세스를 활용하여 성능을 더욱 향상시킵니다. 여기에는 알루미늄 Nitride(AlN) 기판과 고급 납땜 공정이 포함됩니다.