[PRESSURE INDICATOR] Thyristors

  • 관리자
  • 0
  • 52
  • 글주소
  • 08-27
1.jpg

제품 세부 사항

 

d1168408dfd59a712f836d8fe9550a19.png 

Phase Control Capsule Thyristors, DYNEX

Supplied with

Gate & Cathode Leads.

Dynex, DCR470T14, Thyristor, 1400V 470A, 300mA 3-Pin, Type G

 

 Rated Average On-State Current470A
 Thyristor TypeSCR
 Package TypeType G
 Repetitive Peak Reverse Voltage1400V
 Surge Current Rating3600A
 Mounting TypeStud
 Maximum Gate Trigger Current300mA
 Maximum Gate Trigger Voltage3V
 Maximum Holding Current200mA
 Pin Count3
 Height13.5mm
 Dimensions42 (Dia.) x 13.5mm
 Repetitive Peak Forward Blocking Voltage                 1400V
 Repetitive Peak Off-State Current30mA
 Maximum Operating Temperature+125 °C
 Peak On-State Voltage1.23V

 

 

 

Dynex는 EV 애플리케이션을 위한 다양한 기술을 개발하였다. 여기에는 철조망 없는 설계와 능동 게이트 드라이버 기술이 적용된 양면 냉각 IGBT 모듈이 포함됩니다. 모든 기술은 차량 자격 요건을 충족하고 기능 안전을 위한 ISO26262의 요구사항을 수용하도록 설계 및 테스트되었습니다. 양면 냉각 기술 오늘날의 산업 표준에서는 IGBT 및 병렬 다이오드 실리콘 장치가 세라믹 기질에 납땜되어 냉각을 위해 금속 베이스 플레이트에 납땜되는 경우 단측 냉각만 사용됩니다. 실리콘 칩 상단으로부터의 전기 연결은 기질에 연결되는 와이어 본드로 이루어집니다. 확실히 열을 실리콘 후면에서만 제거할 수 있습니다. 이와 대조적으로, 와이어 본드 공정은 제거되고 실리콘 칩 상단에 납땜된 또 다른 기질로 대체됩니다. 이는 다시 두 번째 냉각 플레이트에 부착됩니다. 냉각 시스템과 접촉하는 실리콘의 표면적이 거의 두 배가 된다는 점에서 냉각 효율성의 차이는 매우 분명하다. 전원 모듈 구축은 고성능 재료와 프로세스를 활용하여 성능을 더욱 향상시킵니다. 여기에는 알루미늄 Nitride(AlN) 기판과 고급 납땜 공정이 포함됩니다.